日本napson階段集成式半自動(dòng)四探針測(cè)量?jī)x

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料有關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅外延，離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測(cè)量范圍

[電阻率（電阻率）] 1 m至300 kΩ·cm 
[板電阻] 5 m至10 MΩ/ sq

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映射圖像

高規(guī)格類型的電阻率（比電阻）/薄層電阻半自動(dòng)四探針?lè)y(cè)量?jī)x器

產(chǎn)品名稱：RT-3000 / RG-2000（RG-3000）

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 具有世界醉高電阻測(cè)量范圍的4探針測(cè)量?jī)x
• 用于圓/方測(cè)量的可編程測(cè)量模式和繪圖軟件
• 自檢功能，厚度/周邊位置/溫度校正功能（用于硅）
• 根據(jù)電阻范圍從2種類型的測(cè)試儀中選擇
• （RT-3000（S）：寬范圍，RT-3000（H）：高電阻范圍）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料有關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣本
• 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm 

?選件（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210×210mm

測(cè)量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻率（電阻率）] 100μ- 1MΩ·cm 
[層電阻] 1m- 
10MΩ / sq②RT-3000（H）；
[層電阻] 10m-1GΩ/ sq

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映射圖像

平板（液晶等）電阻率（比電阻）/薄層電阻的半自動(dòng)測(cè)量

商品名稱：RG-100PV

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 用于玻璃基板上薄膜的4探針半自動(dòng)測(cè)量?jī)x
• XY軸機(jī)械平臺(tái)
• 對(duì)于平面內(nèi)多點(diǎn)測(cè)量，均勻螺距或隨機(jī)螺距的可選設(shè)置，已安裝2-D / 3-D映射軟件

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料有關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
• 其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

大300 x 300毫米（可選;大500 x 500毫米）

測(cè)量范圍

[電阻率（比電阻）] 1 m至200Ω·cm 
[板電阻] 1 m至1,000kΩ/ sq（可選；醉高10 MΩ/ sq）

日本napson階段集成式半自動(dòng)四探針測(cè)量?jī)x